Микросхема 198НТ1А
Цена указана без НДС.
198НТ1А изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхема 198НТ1А представляет собой матрицу n-p-n транзисторов.
Содержит 5 интегральных элементов.
Корпус типа 401.14-5, масса не более 0,8 г.
Минимальная наработка микрос..
127 ₽
Микросхема 198НТ1АТ ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 198НТ1АТ ВК представляют собой матрицу n-p-n транзисторов.
Предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в прямоугольном металлостеклянном корпусе с выводами для монтажа ..
125 ₽
Микросхема 198НТ1АТ1 ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы 198НТ1АТ1 ВК представляют собой матрицу n-p-n транзисторов.
Предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаютс..
125 ₽
Микросхема 198НТ1Б
Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы 198НТ1Б представляют собой матрицу n-p-n транзисторов.
Предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в прямоу..
125 ₽
Микросхема 198НТ1БТ ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Микросхемы 198НТ1БТ ВК представляют собой матрицу n-p-n транзисторов.
Предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в прямоугольном металлостеклянном корпусе с выводами для монтажа н..
125 ₽
Микросхема 198НТ1БТ1 ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Микросхемы 198НТ1БТ1 ВК представляют собой матрицу n-p-n транзисторов.
Предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в прямоугольном металлостеклянном корпусе с выводами для монтажа ..
125 ₽
Микросхема 198НТ1В
Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы 198НТ1В представляют собой матрицу n-p-n транзисторов.
Предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в прямоу..
125 ₽
Микросхема 198НТ2А
Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы 198НТ2А представляют собой матрицу n-p-n транзисторов.
Предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в прямоу..
125 ₽
Микросхема 198НТ2Б
Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы 198НТ2Б представляют собой матрицу n-p-n транзисторов.
Предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в прямоу..
125 ₽
Микросхема 198НТ3
Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы 198НТ3 представляют собой матрицу n-p-n транзисторов.
Предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в прямоуго..
125 ₽
Микросхема 198НТ5А
Цена указана без НДС.
198НТ5А изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхема 198НТ5А представляет собой матрицу p-n-p транзисторов.
Содержит 5 интегральных элементов.
Корпус типа 401.14-5, масса не более 0,8 г.
Минимальная наработка микрос..
138 ₽
Микросхема 198НТ5Б
Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы 198НТ5Б представляют собой матрицу p-n-p транзисторов.
Предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в прямоу..
125 ₽
Микросхема 198НТ6А
Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы 198НТ6А представляют собой матрицу p-n-p транзисторов.
Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются..
125 ₽
Микросхема 198НТ6Б
Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы 198НТ6Б представляют собой матрицу p-n-p транзисторов.
Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются..
125 ₽
Микросхема 198НТ7А
Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы 198НТ7А представляют собой матрицу из p-n-p транзисторов.
Предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в пря..
125 ₽
Микросхема 198НТ7Б
Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы 198НТ7Б представляют собой матрицу из p-n-p транзисторов.
Предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в пря..
125 ₽
Микросхема 198НТ8А
Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы 198НТ8А представляют собой матрицу из p-n-p транзисторов.
Предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в пря..
125 ₽
Микросхема 198НТ8Б
Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы 198НТ8Б представляют собой матрицу из p-n-p транзисторов.
Предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в пря..
125 ₽
Микросхема 198УН1А
Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы 198УН1А представляют собой универсальный линейный каскад (дифференциальная пара транзисторов с источником неизменного тока).
Эти многофункциональные ми..
560 ₽
Микросхема 198УН1Б
Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы 198УН1Б представляют собой универсальный линейный каскад (дифференциальная пара транзисторов с источником неизменного тока).
Эти многофункциональные ми..
125 ₽
Микросхема 198УТ1А
Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы 198УТ1А представляют собой многофункциональный дифференциальный усилитель.
Микросхемы могут быть использованы в качестве дифференциального усилителя, р..
125 ₽
Микросхема 198УТ1Б
Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы 198УТ1Б представляют собой многофункциональный дифференциальный усилитель.
Микросхемы могут быть использованы в качестве дифференциального усилителя, р..
125 ₽
Модуль 1ГИ03-2/03-2Цена указана без НДС.Назначение и описание.Модуль СВЧ 1ГИ03-2/03-2 применяется для работы на фиксированных частотах в дециметровом диапазоне волн в качестве автогенератора импульсного режима с катодной модуляцией.Технические условия: ЖТ0.208.003 ТУ.Выходная мощность- 30 ВтЧастотна..
1000 ₽
Радиолампа 1Ж29Б-В
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Высокочастотный сверхминиатюрный пентод 1Ж29Б-В с короткой анодно-сеточной характеристикой повышенной надежности и механической прочности предназначен для генерирования и усиления напряжения высокой частоты до 60 МГц и, используе..
100 ₽