Транзисторная сборка 1НТ251АДанная цена действительна при оплате на ИП. При оплате на ООО к стоимости прибавится НДС - 20%.Транзисторная сборка 1НТ251А, состоящие из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключательных транзисторов.Предназначена для применения в переключающих ..
288р.
Транзистор 2Т208ВЦена указана без НДС и действительна при оплате на ООО. При оплате на ИП возможна скидка до -30%.Назначение и описание.Кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные транзисторы 2Т208В предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах в электрон..
98р.
Транзистор 2Т606АЦена указана без НДС и действительна при оплате на ООО. При оплате на ИП возможна скидка до -30%.Назначение и описание.Кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные транзисторы 2Т606А используются для работы в составе электронной аппаратуры специального назначения ..
63р.
Транзистор 2Т630БЦена указана без НДС и действительна при оплате на ООО. При оплате на ИП возможна скидка до -30%.Назначение и описание.Кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные транзисторы 2Т630Б предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах, в схемах управления газора..
322р.
Транзистор 2Т945А.Цена указана без НДС и действительна при оплате на ООО. При оплате на ИП возможна скидка до -30%.Назначение.Транзисторы 2Т945А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах.Транзисторы 2Т945..
276р.
Транзисторная матрица 2ТС622АДанная цена действительна при оплате на ИП. При оплате на ООО к стоимости прибавится НДС - 20%.Транзисторная матрица 2ТС622А, 2ТС622Б, КТС622А, КТС622Б, состоящая из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p переключающих сверх..
288р.
Транзистор IRF640NPBFЦена указана без НДС и действительна при оплате на ООО. При оплате на ИП возможна скидка до -30%.Описание.Одиночные MOSFET транзисторы. Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 18 А, 150 Вт, 0.15 ОмХарактеристики IRF640NPBF- Корпус: TO-220-3- Структура транзистора: N-Channel- Нап..
81р.
Новинка
Транзистор КТ117АЦена указана без НДС и действительна при оплате на ООО. При оплате на ИП возможна скидка до -30%.Делаем доставку по городам и регионам: Москва, Тверь, Тула, Брянск, Липецк, Смоленск, Нижний Новгород, Ярославль, Вологда, Санкт-Петербург, Петрозаводск, Казань, Ульяновск, Пенза, Самар..
355р.
Транзистор КТ803АЦена указана без НДС и действительна при оплате на ООО. При оплате на ИП возможна скидка до -30%.Транзисторы КТ803А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n универсальные.КТ803А предназначены для применения в усилителях постоянного тока, генераторах строчной развертки, источниках вт..
115р.
Транзистор 1Т813БДанная цена действительна при оплате на ИП. При оплате на ООО к стоимости прибавится НДС - 20%.На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное..
46р.
Транзистор 2П301Б. Цена указана без НДС.2П301Б.Транзистор 2П301Б (золото).Год выпуска 1991.Склад 20шт...
167р.
Транзистор 2т326б. Цена указана без НДС.2Т326Б.Транзистор 2т326б (золото) «5».Год выпуска 1986.Склад 86шт...
145р.
Транзистор 2Т932АДанная цена действительна при оплате на ИП. При оплате на ООО к стоимости прибавится НДС - 20%.2Т932АТранзисторы 2Т932А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности и автогенераторах.Выпускаются в м..
29р.
Транзистор 2Т 932БДанная цена действительна при оплате на ИП. При оплате на ООО к стоимости прибавится НДС - 20%.2Т932БТранзисторы 2Т932Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности и автогенераторах.Выпускаются в ..
29р.
Транзистор EFT 322Данная цена действительна при оплате на ИП. При оплате на ООО к стоимости прибавится НДС - 20%.Тип материала: GeПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 24Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (..
12р.
