
- Наличие: В наличии
- SKU: 540011576
Микросхема 198НТ6Б
Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы 198НТ6Б представляют собой матрицу p-n-p транзисторов.
Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в прямоугольном металлостеклянном корпусе с выводами для монтажа на печатную плату.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе микросхемы.
Корпус типа 401.14-5, масса не более 0,8 г.
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия: ШП0.348.002ТУ
Основные технические параметры и эксплуатационные характеристики микросхемы
Наименование параметра | не менее | не более |
Статический коэффициент передачи ток | 30 | 250 |
Обратный ток коллектора мкА | -0,1 | |
Напряжение насыщения база-эмиттер, В | -0,85 | |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | -0,5 | |
Разброс статических коэффициентов передачи тока (транзисторов VT1, VT2),% | 15 | |
Разброс напряжения базаэмиттер (транзисторов VT1, VT2), мВ | |5| | |
Ток утечки, нА | 50 | |
Обратный ток эмиттера, нА | 100 |
Делаем доставку по городам и регионам: Москва, Тверь, Тула, Брянск, Липецк, Смоленск, Нижний Новгород, Ярославль, Вологда, Санкт-Петербург, Петрозаводск, Казань, Ульяновск, Пенза, Самара, Саратов, Волгоград, Ростов-на-Дону, Краснодар, Ставрополь, Владикавказ, Махачкала, Уфа, Оренбург, Челябинск, Мурманск, Салехард, Ханты-Мансийск, Омск, Тюмень, Барнаул, Абакан, Красноярск, Иркутск, Чита, Хабаровск, Владивосток, Майкоп, Улан-Удэ, Горно-Алтайск, Назрань, Нальчик, Элиста, Черкесск, Петрозаводск, Сыктывкар, Йошкар-Ола, Саранск, Якутск, Казань, Кызыл, Ижевск, Чебоксары, Благовещенск, Архангельск, Астрахань, Белгород, Владимир, Воронеж, Иваново, Калининград, Калуга, Петропавловск-Камчатский, Кемерово, Киров, Кострома, Курган, Курск, Магадан, Великий Новгород, Новосибирск, Орел, Пермь, Псков, Рязань, Южно-Сахалинск, Екатеринбург, Тамбов, Томск, Анадырь и т.д.