Микросхема 159НТ101А
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ101А представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Произведены по биполярной технологии и предназначены для работы в электронной аппаратуре специального наз..
500 ₽
Микросхема 159НТ101АС ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ101АС ВК представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Предназначены для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в к..
500 ₽
Микросхема 159НТ101АС1 ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ101АС1 ВК представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Предназначена для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в..
500 ₽
Микросхема 159НТ101Б
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ101Б представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Произведены по биполярной технологии и предназначены для работы в электронной аппаратуре специального на..
500 ₽
Микросхема 159НТ101БС ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ101БС ВК представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Предназначены для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в к..
500 ₽
Микросхема 159НТ101БС1 ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ101БС1 ВК представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Предназначена для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в..
500 ₽
Микросхема 159НТ101В
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ101В представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Произведены по биполярной технологии и предназначены для работы в электронной аппаратуре специального наз..
500 ₽
Микросхема 159НТ101ВС ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ101ВС ВК представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Предназначены для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в к..
500 ₽
Микросхема 159НТ101ВС1 ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ101ВС1 ВК представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Предназначена для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в..
500 ₽
Микросхема 159НТ101Г
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ101Г представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Произведены по биполярной технологии и предназначены для работы в электронной аппаратуре специального наз..
500 ₽
Микросхема 159НТ101ГС ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ101ГС ВК представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Предназначены для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в к..
500 ₽
Микросхема 159НТ101ГС1 ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ101ГС1 ВК представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Произведены по биполярной технологии и предназначены для работы в электронной аппаратуре специ..
500 ₽
Микросхема 159НТ101Д
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ101Д представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Произведены по биполярной технологии и предназначены для работы в электронной аппаратуре специального наз..
500 ₽
Микросхема 159НТ101ДС ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ101ДС ВК представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Предназначены для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в к..
500 ₽
Микросхема 159НТ101ДС1 ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ101ДС1 ВК представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Предназначена для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в..
500 ₽
Микросхема 159НТ101Е
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ101Е представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Произведены по биполярной технологии и предназначены для работы в электронной аппаратуре специального наз..
500 ₽
Микросхема 159НТ101ЕС ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ101ЕС ВК представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Предназначены для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в к..
500 ₽
Микросхема 159НТ101ЕС1 ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ101ЕС1 ВК представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Предназначена для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в..
500 ₽
Микросхема 159НТ1А
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ1А представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Произведены по биполярной технологии и предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назнач..
500 ₽
Микросхема 159НТ1АС ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ1АС ВК представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Предназначены для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в кругл..
500 ₽
Микросхема 159НТ1АС1 ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ1АС1 ВК представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Произведены по биполярной технологии и предназначены для работы в электронной аппаратуре специальн..
500 ₽
Микросхема 159НТ1Б
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ1Б представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Произведены по биполярной технологии и предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назнач..
500 ₽
Микросхема 159НТ1БС ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ1БС ВК представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Предназначены для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в кругл..
500 ₽
Микросхема 159НТ1БС1 ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 159НТ1БС1 ВК представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Произведены по биполярной технологии и предназначены для работы в электронной аппаратуре специальн..
500 ₽