Микросхема 1986ВЕ4У1
Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Микросхема 1986ВЕ4У1 представляет собой 32-разрядный микроконтроллер на базе процессорного ядра ARM Cortex-M0 с 8-канальным 24-разрядным ∑Δ АЦП.
Микроконтроллер 1986ВЕ4У1 предназначен для применения в электронной аппаратуре, ав..
1000 ₽
Микросхема 1986ВЕ81Т
Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Микросхема 1986ВЕ81Т представляет собой 32-разрядный радиационно-стойкий микроконтроллер на базе процессорного ядра ARM Cortex‑M4F для аэрокосмических систем измерения, контроля, управления и диагностики.
Микроконтроллер предна..
1000 ₽
Микросхема 1986ВЕ8Т
Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Микросхема 1986ВЕ8Т представляет собой 32-разрядный радиационно-стойкий микроконтроллер на базе процессорного ядра ARM Cortex‑M4F для аэрокосмических систем измерения, контроля, управления и диагностики.
Микроконтроллер предназн..
1000 ₽
Микросхема 1986ВЕ91Т
Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Микросхема 1986ВЕ91Т представляет собой 32-разрядный микроконтроллер построенный на ядре ARM Cortex-M3, содержащий 128 КБ памяти программ Flash-типа и 32 КБ ОЗУ.
Микроконтроллер предназначен для работы в радиоэлектронной аппара..
1000 ₽
Микросхема 1986ВЕ92У
Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Микросхема 1986ВЕ92У представляет собой представляет собой 32-разрядный микроконтроллер построенный на базе процессорного ядра ARM Cortex-M3, содержащий 128 КБ памяти программ Flash-типа и 32 КБ ОЗУ.
Микроконтроллер предназначе..
1000 ₽
Микросхема 1986ВЕ93У
Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Микросхема 1986ВЕ93У представляет собой представляет собой 32-разрядный микроконтроллер построенный на базе процессорного ядра ARM Cortex-M3, содержащий 128 КБ памяти программ Flash-типа и 32 КБ ОЗУ.
Периферия микроконтроллера ..
1000 ₽
Микросхема 1986ВЕ94Т
Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Микросхема 1986ВЕ94Т представляет собой представляет собой 32-разрядный микроконтроллер построенный на базе процессорного ядра ARM Cortex-M3, содержащий 128 КБ памяти программ Flash-типа и 32 КБ ОЗУ.
Микроконтроллер 1986ВЕ94Т с..
1000 ₽
Микросхема 198НТ1А
Цена указана без НДС.
198НТ1А изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхема 198НТ1А представляет собой матрицу n-p-n транзисторов.
Содержит 5 интегральных элементов.
Корпус типа 401.14-5, масса не более 0,8 г.
Минимальная наработка микрос..
127 ₽
Микросхема 198НТ1АТ ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 198НТ1АТ ВК представляют собой матрицу n-p-n транзисторов.
Предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в прямоугольном металлостеклянном корпусе с выводами для монтажа ..
125 ₽
Микросхема 198НТ1АТ1 ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы 198НТ1АТ1 ВК представляют собой матрицу n-p-n транзисторов.
Предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаютс..
125 ₽
Микросхема 198НТ1Б
Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы 198НТ1Б представляют собой матрицу n-p-n транзисторов.
Предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в прямоу..
125 ₽
Микросхема 198НТ1БТ ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Микросхемы 198НТ1БТ ВК представляют собой матрицу n-p-n транзисторов.
Предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в прямоугольном металлостеклянном корпусе с выводами для монтажа н..
125 ₽
Микросхема 198НТ1БТ1 ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Микросхемы 198НТ1БТ1 ВК представляют собой матрицу n-p-n транзисторов.
Предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в прямоугольном металлостеклянном корпусе с выводами для монтажа ..
125 ₽
Микросхема 198НТ1В
Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы 198НТ1В представляют собой матрицу n-p-n транзисторов.
Предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в прямоу..
125 ₽
Микросхема 198НТ2А
Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы 198НТ2А представляют собой матрицу n-p-n транзисторов.
Предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в прямоу..
125 ₽
Микросхема 198НТ2Б
Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы 198НТ2Б представляют собой матрицу n-p-n транзисторов.
Предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в прямоу..
125 ₽
Микросхема 198НТ3
Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы 198НТ3 представляют собой матрицу n-p-n транзисторов.
Предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в прямоуго..
125 ₽
Микросхема 198НТ5А
Цена указана без НДС.
198НТ5А изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхема 198НТ5А представляет собой матрицу p-n-p транзисторов.
Содержит 5 интегральных элементов.
Корпус типа 401.14-5, масса не более 0,8 г.
Минимальная наработка микрос..
138 ₽
Микросхема 198НТ5Б
Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы 198НТ5Б представляют собой матрицу p-n-p транзисторов.
Предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в прямоу..
125 ₽
Микросхема 198НТ6А
Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы 198НТ6А представляют собой матрицу p-n-p транзисторов.
Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются..
125 ₽
Микросхема 198НТ6Б
Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы 198НТ6Б представляют собой матрицу p-n-p транзисторов.
Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются..
125 ₽
Микросхема 198НТ7А
Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы 198НТ7А представляют собой матрицу из p-n-p транзисторов.
Предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в пря..
125 ₽
Микросхема 198НТ7Б
Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы 198НТ7Б представляют собой матрицу из p-n-p транзисторов.
Предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в пря..
125 ₽
Микросхема 198НТ8А
Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы 198НТ8А представляют собой матрицу из p-n-p транзисторов.
Предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в пря..
125 ₽