Микросхема К500ТМ131
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы К500ТМ131 представляют собой 4 триггера с защелкой.
Предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в 16-выводном прямоугольном пластмассовом корпусе с выводами для мо..
100 ₽
Микросхема К500ТМ133
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Цифровая микросхема серии ЭСЛ изготовлена по биполярной технологии.
Микросхемы К500ТМ133 представляют собой 4 триггера с защелкой.
Предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаютс..
100 ₽
Микросхема К504НТ1А
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Изготовлена на основе полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом.
Микросхемы К504НТ1А представляют собой слаботочную согласованную пару полевых транзисторов, предназначенных для применения во входных каскадах усилителей..
100 ₽
Микросхема К504УН1А
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Изготовлена на основе полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом.
Микросхемы К504УН1А представляют собой малошумящий усилитель низкой частоты с высоким входным сопротивлением, выполненный на полевых транзисторах с p-n п..
100 ₽
Микросхема К511ИД1
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы изготовлены на основе диодно-транзисторной логики по биполярной технологии с изоляцией p-n переходом, обладающей повышенными помехоустойчивостью и нагрузочной способностью и предназначенной для применения в системах ..
100 ₽
Микросхема К511ИЕ1
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы изготовлены на основе диодно-транзисторной логики по биполярной технологии с изоляцией p-n переходом, обладающей повышенными помехоустойчивостью и нагрузочной способностью и предназначенной для применения в системах ..
100 ₽
Микросхема К511ЛА1
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы изготовлены на основе диодно-транзисторной логики по биполярной технологии с изоляцией p-n переходом, обладающей повышенными помехоустойчивостью и нагрузочной способностью и предназначенной для применения в системах ..
100 ₽
Микросхема К511ЛА2
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы К511ЛА2 изготовлены на основе диодно-транзисторной логики по биполярной технологии с изоляцией p-n переходом, обладающей повышенными помехоустойчивостью и нагрузочной способностью и предназначенно..
50 ₽
Микросхема К511ЛА3
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы изготовлены на основе диодно-транзисторной логики по биполярной технологии с изоляцией p-n переходом, обладающей повышенными помехоустойчивостью и нагрузочной способностью и предназначенной для применения в системах ..
100 ₽
Микросхема К511ЛА4
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы изготовлены на основе диодно-транзисторной логики по биполярной технологии с изоляцией p-n переходом, обладающей повышенными помехоустойчивостью и нагрузочной способностью и предназначенной для применения в системах ..
100 ₽
Микросхема К511ЛА5
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы изготовлены на основе диодно-транзисторной логики по биполярной технологии с изоляцией p-n переходом, обладающей повышенными помехоустойчивостью и нагрузочной способностью и предназначенной для применения в системах ..
100 ₽
Микросхема К511ЛИ1
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы изготовлены на основе диодно-транзисторной логики по биполярной технологии с изоляцией p-n переходом, обладающей повышенными помехоустойчивостью и нагрузочной способностью и предназначенной для применения в системах ..
100 ₽
Микросхема К511ПУ1
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы изготовлены на основе диодно-транзисторной логики по биполярной технологии с изоляцией p-n переходом, обладающей повышенными помехоустойчивостью и нагрузочной способностью и предназначенной для применения в системах ..
100 ₽
Микросхема К511ПУ2
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы изготовлены на основе диодно-транзисторной логики по биполярной технологии с изоляцией p-n переходом, обладающей повышенными помехоустойчивостью и нагрузочной способностью и предназначенной для применения в системах ..
100 ₽
Микросхема К511ТВ1
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы изготовлены на основе диодно-транзисторной логики по биполярной технологии с изоляцией p-n переходом, обладающей повышенными помехоустойчивостью и нагрузочной способностью и предназначенной для применения в системах ..
100 ₽
Микросхема К512ПС2
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы изготовлены по КМОП технологии и предназначены для работы в системах обработки данных, электронных реле времени.
Микросхема К512ПС2 представляет собой усилитель кварцевого генератора, делитель частоты, формирователь..
100 ₽
Микросхема К514ИД1
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхема изготовлена по биполярной технологии с p-n переходом и предназначена для применения в устройствах отображения цифровой, знаковой и буквенной информации.
Микросхемы К514ИД1 представляют собой дешифратор для семисегме..
100 ₽
Микросхема К521СА301А
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы К521СА301А представляют собой компаратор напряжения.
Предназначены для применения в системах обработки информации, дискриминаторах амплитуды и скорости нарастания импульсов, индикаторах момента пре..
580 ₽
Микросхема К537РУ1А
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Статическое оперативное запоминающее устройство на основе КМОП-структур.
Микросхемы К537РУ1А представляют собой статическое тактируемое оперативное запоминающее устройство с произвольной выборкой емкостью 1 кбит (1кх1).
Пред..
100 ₽
Микросхема К538УН1
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы К538УН1 представляют собой малошумящий универсальный усилитель с дифференциальным входным усилителем, применяются для усиления сигналов с частотой до 1000 кГц, имеют защиту от короткого замыкания на выходе, предназна..
100 ₽
Микросхема К538УН3А
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы К538УН3А представляют собой малошумящий широкополосный усилитель с рабочей частотой до 3 МГц, оптимизированный для работы с низкоомными источниками (генераторами) сигналов (от сотен Ом до единиц кОм), предназначены ..
100 ₽
Микросхема К541РТ1
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Биполярное ОЗУ выполнено на основе интегрально-инжекционной логики.
Микросхемы К541РТ1 представляют собой однократно программируемое постоянное запоминающее устройство емкостью 1 кбит (256 х 4).
Совместимы по входу и выходу с..
100 ₽
Микросхема К541РУ2
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Биполярное ОЗУ выполнено на основе интегрально-инжекционной логики.
Микросхемы К541РУ2 представляют собой статическое оперативное запоминающее устройство емкостью 4 кбит (1к х 4) с тремя состояниями.
Предназначены для работы ..
100 ₽
Микросхема К542НД5
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхема К542НД5 представляет собой четыре изолированных диода.
Изготовлены по биполярной технологии и предназначены для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в плоском металлокерамическом прям..
100 ₽