Микросхема 500ИД164
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Цифровая микросхема серии ЭСЛ изготовлена по биполярной технологии.
Микросхема 500ИД164 представляет собой восьмиканальный мультиплексор.
Предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
..
100 ₽
Микросхема 500ТМ130
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Цифровая микросхема серии ЭСЛ изготовлена по биполярной технологии.
Микросхема 500ТМ130 представляет собой два D-триггера.
Предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в 1..
100 ₽
Микросхема 500ТМ133
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Цифровая микросхема серии ЭСЛ изготовлена по биполярной технологии.
Микросхемы 500ТМ133 представляют собой 4 триггера с защелкой.
Предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаю..
100 ₽
Микросхема 5019ЧТ1Т
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхема 5019ЧТ1Т представляет собой программируемый цифровой термометр с EEPROM, функцией термостата и трехпроводным последовательным интерфейсом.
Предназначена для использования в радиоэлектронной аппаратуре специального на..
100 ₽
Микросхема 504НТ1А
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Изготовлена на основе полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом.
Микросхемы 504НТ1А представляют собой слаботочную согласованную пару полевых транзисторов, предназначенных для применения во входных каскадах усилителей пос..
500 ₽
Микросхема 504НТ1АС ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 504НТ1АС ВК представляют собой слаботочную согласованную пару полевых транзисторов.
Предназначены для работы во входных каскадах усилителей постоянного тока, в дифференциальных и операционных усилителях и коммутат..
500 ₽
Микросхема 504НТ1АС1 ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 504НТ1АС1 ВК представляют собой слаботочную согласованную пару полевых транзисторов.
Предназначены для работы во входных каскадах усилителей постоянного тока, в дифференциальных и операционных усилителях и коммут..
500 ₽
Микросхема 504НТ1Б
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Изготовлена на основе полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом.
Микросхемы 504НТ1Б представляют собой слаботочную согласованную пару полевых транзисторов, предназначенных для применения во входных каскадах усилителей пос..
500 ₽
Микросхема 504НТ1БС ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 504НТ1БС ВК представляют собой слаботочную согласованную пару полевых транзисторов.
Предназначены для работы во входных каскадах усилителей постоянного тока, в дифференциальных и операционных усилителях и коммутат..
500 ₽
Микросхема 504НТ1БС1 ВК
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхемы 504НТ1БС1 ВК представляют собой слаботочную согласованную пару полевых транзисторов.
Предназначены для работы во входных каскадах усилителей постоянного тока, в дифференциальных и операционных усилителях и коммут..
500 ₽
Микросхема 504НТ1В
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Изготовлена на основе полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом.
Микросхемы 504НТ1В представляют собой слаботочную согласованную пару полевых транзисторов, предназначенных для применения во входных каскадах усилителей пос..
500 ₽
Микросхема 504НТ2А
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Изготовлена на основе полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом.
Микросхемы 504НТ2А представляют собой слаботочную согласованную пару полевых транзисторов, предназначенных для применения во входных каскадах усилителей пос..
500 ₽
Микросхема 504НТ2Б
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Изготовлена на основе полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом.
Микросхемы 504НТ2Б представляют собой слаботочную согласованную пару полевых транзисторов, предназначенных для применения во входных каскадах усилителей пос..
500 ₽
Микросхема 504НТ2В
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Изготовлена на основе полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом.
Микросхемы 504НТ2В представляют собой слаботочную согласованную пару полевых транзисторов, предназначенных для применения во входных каскадах усилителей пос..
500 ₽
Микросхема 504НТ3А
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Изготовлена на основе полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом.
Микросхемы 504НТ3А представляют собой сильноточную согласованную пару полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом, предназначенных для применения во вх..
500 ₽
Микросхема 504НТ3Б
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Изготовлена на основе полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом.
Микросхемы 504НТ3Б представляют собой сильноточную согласованную пару полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом, предназначенных для применения во вх..
500 ₽
Микросхема 504НТ3В
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Изготовлена на основе полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом.
Микросхемы 504НТ3В представляют собой сильноточную согласованную пару полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом, предназначенных для применения во вх..
500 ₽
Микросхема 504НТ4А
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Изготовлена на основе полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом.
Микросхемы 504НТ4А представляют собой сильноточную согласованную пару полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом, предназначенных для применения во вх..
500 ₽
Микросхема 504НТ4Б
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Изготовлена на основе полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом.
Микросхемы 504НТ4Б представляют собой сильноточную согласованную пару полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом, предназначенных для применения во вх..
500 ₽
Микросхема 504НТ4В
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Изготовлена на основе полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом.
Микросхемы 504НТ4В представляют собой сильноточную согласованную пару полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом, предназначенных для применения во вх..
700 ₽
Микросхема 504УН1Б
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Изготовлена на основе полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом.
Микросхемы 504УН1Б представляют собой малошумящий усилитель низкой частоты с высоким входным сопротивлением, выполненный на полевых транзисторах с p-n перех..
500 ₽
Микросхема 504УН1В
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Изготовлена на основе полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом.
Микросхемы 504УН1В представляют собой малошумящий усилитель низкой частоты с высоким входным сопротивлением, выполненный на полевых транзисторах с p-n перех..
500 ₽
Микросхема 505ИР2
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхема 505ИР2 представляет собой 1024-разрядный динамический регистр сдвига, состоящий из 4 регистров с числом разрядов 256 каждый с раздельными входами и выходами и общими цепями сдвига и питания.
Предназначена для применени..
100 ₽
Микросхема 5101НА015
Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Микросхема 5101НА015 представляет собой 16-разрядный ЦАП с малым энергопотреблением и выходом по напряжению.
Микросхема 5101НА015 предназначена для использования в малопотребляющих переносных и бортовых системах управления и о..
1000 ₽